wendeten IGBTs zeigen SiC-Bausteine

wendeten IGBTs zeigen SiC-Bausteinebeim Abschalten keinerlei Tailstrom. Darum können je nach Anbindung des Moduls Schwingungen von VDS und ID beobachtet werden. Der zugrunde liegendeSchwingkreis entsteht durch parasitäre Induktivitäten, etwa in der Schaltung und im Leistungsmodul selbst, und durch die Kapazitäten, die durch die Auslegung des Moduls und der Schaltung bedingt sind. Dazu zählen die Ausgangskapazität des SiC-MOSFETund die Koppelkapazitäten im Leis100

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IGBT 断开时，SiC组件在关闭时不显示任何尾电流。因此，根据模块的连接，可以观察到VDS和ID的振动。下层 谐振电路是由寄生电感产生的，例如在电路中和在功率模块本身中，以及由模块和电路的设计所引起的电容。这包括SiC-MOSFET的输出 电容和Leis100中的耦合电容

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iGBT 显示 SiC 块 关闭时没有尾流。因此，根据模块的连接，可以观察到 VDS 和 ID 的振动。基础 振动电路是由寄生电感器创建的，例如在电路和电源模块本身中，以及由模块和电路设计引起的容量。这包括西克-莫斯费特的初始容量 和在莱斯100耦合能力

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使用的IGBT显示SiC构建块 关闭时无尾流。因此，根据模块的连接，可以观察到VDS和ID的振动。潜在的 振荡电路是由寄生电感产生的，例如电路和电源模块本身中的寄生电感，以及由模块和电路设计引起的电容。这包括SiC MOSFET的初始容量 耦合容量为100

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