Nach der Erfindung kann ein gesintertes Si3N4-Bauteil mit hoher Wärmeleitfähigkeit (> 70 W/mK, hoher Temperaturwechselbeständigkeit, mit Dichten > 3,21 g/cm3, Festigkeiten > 800 MPa, hohem elektrischen Widerstand (> 140 GOhm bei 125°C und 5 kV) und hoher elektrischer Durchschlagsfestigkeit erhalten werden, welches über kostengünstige und endkonturnahe Formgebungsverfahren (Foliengießen, Trockenpressen) und energetisch günstiges Gasdrucksinterverfahren gefertigt wird, wobei durch Optimierung der Additive geringe Sintertemperaturen von unter 1750°C und kurzen Sinterzyklen